Bu gelişmeyle birlikte önümüzdeki dönemde akıllı telefon ve tabletlerde daha yüksek ve daha hızlı depolama birimleri karşımıza çıkacak.
Samsung geçtiğimiz hafta akıllı telefon ve tablet gibi mobil cihazlar için yüksek kapasiteli 3GB RAM üretimine başladığını duyurmasının ardından, şimdide dünyanın en hızlı dahili hafıza ve flaş depolama çiplerinin üretimine başlayacağını duyurdu. Bu yeni flaş depolama alanları akıllı telefonları dahili depolama birimlerinde görev yapacak.
64GB kapasiteli 10nm NAND flaş teknolojisi eMMC 5.0 standartlarını destekleyen ilk çip set ve teorik olarak 400MB/s veri aktarım hızına sahip olacak. 13/32/64 varyantında seçenekleri bulunan dahili flaş bellekler ilk aşamada 250MB/S okuma, 90MB/s yazma hızı sunacak ve özellikle çoklu işlem, dosya transferi, HD video kaydı, oyun oynama ve birçok hizmetin daha hızlı olmasını sağlayacak.
Şuan kullanımda olan class 10 harici belleklerin 24MB/s okuma ve 10MB/s yazma hızına sahip olduğu düşünüldüğünde yeni flaş bellekler büyük gelişme sağlayacak.